六家主要NAND FLASH供应商的行业收入详细信息摘要

全球市场研究机构TrendForce的最新调查显示,到2020年第四季度,NANDFlash行业的收入为141亿美元,比上一季度下降2.9%。在本季度,全球排名前六的NANDFLASH品牌制造商是三星电子,Kioxia,西部数据,SK海力士,美光和英特尔。
三星电子:NANDFlash位的出货量环比增长7-9%。受惠于中国智能手机制造商积极抢占市场份额和增加库存,以及对笔记本电脑需求的进一步增长,三星电子'订单需求好于最初的预期,使其在2020年实现增长。
第四季度,NANDFlash位的出货量环比增长7-9%。但是,由于数据中心客户和企业客户仍专注于去库存的购买力不足,供过于求的状况十分明显,平均单价下降了10%以上。
第四季度NANDFlash总收入为46.44亿美元,较上一季度下降3.4%。 Kioxia:整体钻头出货量略有增长。
华为终止库存后,其他品牌制造商的订单无法满足Kioxia的移动钻头出货量。此外,企业固态硬盘的整体市场需求较低,但受到影响。
对电子和游戏机的需求显示整体钻头出货量略有增加。由于市场供过于求,平均单价下降了8-10%。
第四季度,NANDFlash收入为27.49亿美元,环比下降11.4%。 %。
Western Digital:整体钻头出货量增长了7%。由于服务器客户仍处于库存耗尽周期这一事实,西部数据2020年第四季度的合同价格趋势显示出疲软的趋势,季度下降9%。
但是,由于渠道端销售的持续增长以及客户对笔记本电脑的SSD需求的持续增长,整体比特出货量仍增长了7%,大致抵消了价格下跌的影响。第四季度,NANDFlash收入仅下降了2.1%。
达到20.34亿美元。 SK hynix:中国智能手机制造商的积极采购也使比特出货量每季度增长8%。
到2020年第四季度,SK hynix的位出货量每季度增长将达到8%,平均销售单价主要受市场供过于求的影响。该季度下跌了8%。
在价格下跌的影响下,第四季度NANDFlash收入与上一季度基本持平,达16.39亿美元,环比下降0.2%。微米:位的出货量增长了17-20%。
得益于智能手机客户的持续库存工作以及PCOEM中对美光QLCSSD产品的需求持续增长,其2020年第四季度的位出货量增长了17-20%。由于市场需求疲软,平均售价也下降了约10%至13%。
第四季度NANDFlash收入为15.74亿美元,环比增长2.9%。英特尔:比特出货量恢复近25%的增长。
在2020年第三季度之后,由于数据中心和企业客户的去库存化,导致位出货量下降了近25%,英特尔第四季度的客户采购势头仍然疲弱,但与上一季度相比已经恢复,加之由于PCOEM厂商的持续需求,这使得其比特出货量恢复了近25%的增长。平均售价也受到市场供过于求的影响,市场供过于求下降了近20%。
第四季度,NANDFlash收入为12.08亿美元,环比增长4.8%。随着3DNANDFlash堆栈达到90层以上,主要供应商开发更高层蚀刻和堆栈技术的难度逐渐增加。
观察各种供应商的技术路线图,在1XX层产品的代数上有所不同:尽管三星和SK海力士已经推出了128层产品,但Kioxia / WD和Micron Micron和Intel(Intel)112/128 / 144-层产品要到下半年才会增加。与前几代3DNAND产品相比,开发过程更长,这有利于长江存储的128层产品赶上来。
此外,NANDFlash的价格平均下跌了46%,导致主要供应商亏损,资本支出变得保守,产量增长计划也创下了历史新低,这使YMTC有机会缩小差距。作为新的供应商,长江仓储目前在武汉设有工厂。
除了积极的扩张计划外,长江存储公司还是国家基金的主要支持制造商。可以预见,NAND Flash市场竞争将更加激烈和长期。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 深入解析抗硫电阻AS..A系列与CS..A系列的选型与设计要点 抗硫电阻选型指南:AS..A系列与CS..A系列实战应用策略面对复杂工业环境中的电磁干扰与化学腐蚀挑战,正确选择抗硫电阻是保障系统长期稳定运行的关键。本文从设计角度出发,系统梳理AS..A系列与CS..A系列的选型要点。1. 环境条...
  • 深入解析电阻阵列CN..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心差异 引言在电子元器件领域,电阻阵列因其高集成度、稳定性和空间节省优势,广泛应用于精密电路、工业控制及通信设备中。其中,CN..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三种电阻阵列型号。尽管它们均属于电阻阵列类别,...
  • 如何根据应用场景选择合适的耐脉冲电阻?PWR..A、SWR..A与CRW..A系列选型指南 基于应用场景的耐脉冲电阻选型策略面对PWR..A、SWR..A和CRW..A三大系列,正确选择不仅影响设备性能,还直接关系到系统安全与维护成本。以下从实际应用出发,提供科学选型建议。1. 高压/高能环境:优先选用PWR..A系列当设备部署...
  • 抗硫电阻AS..A系列与CS..A系列参数详解及应用优势分析 抗硫电阻AS..A系列与CS..A系列核心参数解析在工业自动化、石油化工、电力系统等高腐蚀环境中,电子元器件的可靠性至关重要。抗硫电阻(AS..A系列、CS..A系列)因其优异的耐硫化环境性能,成为关键电路中的首选元件。1. 基本电...
  • 如何根据实际需求选择合适的电阻阵列:CN..A、SWR..A与CRW..A系列深度指南 前言:电阻阵列在现代电子设计中的重要性随着电子产品向小型化、高性能和高可靠性方向发展,传统单个电阻已难以满足复杂电路的设计需求。电阻阵列作为一种集成化解决方案,不仅节省了PCB空间,还提升了装配效率与一致...
  • 深入解析29V耐压N+P互补对MOS管的技术参数与选型要点 29V耐压技术的关键突破随着电力电子系统向更高电压、更紧凑化方向发展,29V耐压的N+P互补对MOS管成为新一代高性能器件的重要代表。其最大额定电压(Vds)达到29V,远超传统12V或15V器件,为复杂系统提供更强的冗余与安全裕量...
  • 深入理解31V至99V N沟道MOS管的电气特性与实际设计要点 31V至99V N沟道MOS管的电气参数详解在设计高压电源或功率转换系统时,准确理解N沟道MOS管的关键电气参数至关重要。以下是针对31V–99V范围器件的核心参数说明:关键参数解读 参数 典型值范围 意义说明 VDSS(漏源击...
  • 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的性能对比分析 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心区别解析在工业自动化、电力系统及高可靠性电子设备中,耐脉冲电阻因其出色的抗冲击能力而备受青睐。其中,PWR..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三大类耐脉冲电...
  • 耐脉冲电阻PWR..A系列与CRW..A系列阻值范围详解及应用解析 耐脉冲电阻PWR..A系列与CRW..A系列概述耐脉冲电阻是专为应对瞬时高能量脉冲设计的精密电子元件,广泛应用于电源管理、电机控制、通信设备及工业自动化系统中。其中,PWR..A系列与CRW..A系列是目前市场上备受青睐的两款高性能...
  • 深入解析耐脉冲电阻阻值范围:如何根据PWR..A与CRW..A系列精准选型 耐脉冲电阻阻值范围的重要性在电子系统设计中,电阻不仅是基础元件,更是决定电路稳定性和安全性的重要因素。尤其是耐脉冲电阻,其阻值范围直接影响系统的过压保护能力、电流限制效果以及热耗散效率。本文将重点分析...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 优秀的合金电阻供应商捷比信实业 ¥0.10RLS10FTSR010 合金电阻 大毅深圳代理商 0805 1% 0.5W 10mΩ¥0.202512 2W R200 毫欧合金电阻 RLP25FEER200 大毅TA-I深圳代理¥0.20TA-I大毅合金电阻授权代理商RLP25FEER220 2512 1% 2W 0.22R¥0.20TA-I大毅合金电阻RLP25FEER330 2512 1% 2W 0.33R授权代理商¥1.00TA-...
  • 汽车级薄膜电阻器厂家:如何选择值得信赖的供应商? 汽车级薄膜电阻器厂家的关键评估维度在汽车电子产业快速升级的背景下,选择一家具备研发实力、生产能力及质量体系保障的汽车级薄膜电阻器厂家,是保障整车电子系统稳定性和安全性的前提。以下是企业在筛选供应商时应...
  • 深入解析CRW..A系列与SWR..A系列电阻器在电力系统中的关键作用 CRW..A系列与SWR..A系列在电力系统中的核心价值随着智能电网与新能源接入系统的快速发展,电力设备对过压保护的需求日益增强。浪涌电阻器作为第一道防线,其性能直接关系到系统安全与运行连续性。本文将从技术原理、实际...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 汽车级贴片电容哪家专业?深度解析行业领先品牌与选型要点 如何挑选真正专业的汽车级贴片电容?关键看这几点随着汽车电子化程度不断提升,汽车级贴片电容在电源滤波、信号耦合、去耦稳压等环节发挥着不可替代的作用。面对众多供应商,如何判断哪家更专业?本文从技术标准、产...
  • 浪涌电阻器SWR..A系列与CRW..A系列性能对比及应用解析 浪涌电阻器SWR..A系列与CRW..A系列概述浪涌电阻器是电子电路中用于抑制瞬态过电压、保护敏感元器件的重要元件。其中,SWR..A系列与CRW..A系列作为当前市场主流产品,凭借优异的耐冲击能力、高稳定性与长寿命,在工业控制、电...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • N沟道MOS管在8V–29V系统中的选型与设计要点解析 前言:为何选择N沟道MOS管?N沟道MOS管因具有更低的导通电阻(Rds(on))和更高的电子迁移率,在8V–29V系统中表现出更优的性能。尤其在作为主开关器件时,其效率和热性能远超传统P沟道器件。一、关键参数选型指南额定电压(...