英特尔宣布推出10nm +至强架构:至少28个内核,八通道内存,PCIe 4.0

10nm可以说是英特尔制程技术史上最困难的部分。最初计划的坎农湖别无选择,只能中止。
已经发布的Ice Lake实际上是第二代10nm +工艺,但仅限于低功耗,轻薄的平台。具有SuperFin新晶体管技术的第三代10nm ++ Tiger Lake仍停留在低功率领域。
至少要到明年年底,台式机上的Intel 10nm才会发布,而在服务器端,Ice Lake-SP将于今年下半年发布,它属于可扩展至第三代的第三代。已推出的库珀湖(Cooper Lake)最强。
在2020年HotChips大会上,英特尔首次宣布了Ice Lake-SP的许多架构细节。 Ice Lake-SP使用与移动Ice Lake-U / Y系列相同的第二代10nm +工艺,并且还集成了新的Sunny Cove CPU架构,支持双通道和单通道,并进行了灵活的Balance优化,以提高吞吐量和单核性能。
Ice Lake-SP采用升级的网格网格体系结构设计。已发布的架构图最多包含28个核(56个线程),与前两代产品相同,但据推测会有更多的核版本,否则在AMD 64核小龙之前,它不能#39;完全不要持有它。
另一方面,频率可以说是英特尔10纳米工艺的致命伤害。 Ice Lake-U系列只能加速到4.1GHz。
Ice Lake-SP可以运行多高尚未透露,但肯定不是太乐观。该官员刚刚表示,与第二代Cascade Lake相比,IPC性能提高了约13%。
同时,Ice Lake-SP支持的内存通道数量已从6增加到8,并且继续支持DDR4内存和Optane持久内存。添加了用于输入和输出的本机PCIe 4.0,但未公开特定的通道数。
在指令集方面,Ice Lake-SP添加了第二个FMA-512单元,并增加了对AVX-512 VPMADD52,Vector-AES,Vector轻载乘法,GFNI,SHA-NI,Vector POPCNT,Bit Shuffle,Vector的支持BMI。英特尔声称,不同的新指令集可以将性能提高1.5倍至8倍。
如果您对更多技术细节感兴趣,请参见幻灯演示。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 1安铅保险丝直径约0.5至0.8毫米 铅保险丝的直径与所需通过的最大电流有关。一般来说,用于1安培电流的铅保险丝直径大约在0.5毫米到0.8毫米之间,但具体尺寸还需参照实际产品的规格表或制造商提供的数据。因为不同制造商可能有略微不同的设计标准和材料...
  • P沟道与N沟道MOS管在8V至29V电压范围内的应用对比分析 P沟道与N沟道MOS管概述在现代电子电路设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗和快速开关特性而被广泛应用。根据导电类型的不同,MOS管可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)在栅...
  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...
  • N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管性能对比分析 N沟道8V至29V MOS管与P沟道MOS管核心差异解析在现代电子系统设计中,MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)作为关键的开关和放大元件,广泛应用于电源管理、电机驱动、信号切换等场景。其中,N沟道与P沟道MOS管因其工作原...
  • 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
  • PT100热电阻在0至140摄氏度范围内的温度-电阻对照表 在PT100热电阻的应用中,了解其在不同温度下的电阻值对于精确测量至关重要。以下是在0至140摄氏度范围内,PT100热电阻的温度与电阻值之间的对照关系:| 温度(℃) | 电阻值(Ω) ||---------|-----------|| 0 | 100.00 || 20 | 107.80 ...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...
  • N沟道MOS管8V至29V应用与选择指南 在电子设计中,MOS管作为开关或放大器使用时具有重要的地位。特别是对于N沟道MOS管,其在低侧开关应用中表现尤为出色。针对您提到的8V至29V电压范围内的N沟道MOS管,本文将从以下几个方面进行探讨:1. 理解N沟道MOS管的工作原...
  • N沟道8V至29V MOS管详解:选型、应用与性能优势 N沟道8V至29V MOS管核心特性解析在现代电子系统中,尤其是电源管理、电机驱动和开关电源领域,N沟道MOS管因其高效率、低导通电阻(Rds(on))和快速开关速度而备受青睐。其中,工作电压范围为8V至29V的N沟道MOS管,特别适用于中...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • N沟道MOS管31V至99V高耐压应用解析:性能与选型指南 N沟道MOS管31V至99V高耐压器件核心优势在现代电力电子系统中,高耐压N沟道MOS管(N-Channel MOSFET)广泛应用于开关电源、电机驱动、太阳能逆变器及工业控制等领域。其中,31V至99V范围的器件因其优异的电压承受能力,成为中高功...
  • 8V至29V N沟道MOS管:灵活宽电压范围下的高性能解决方案 8V至29V N沟道MOS管的技术优势与设计考量针对日益复杂的电源系统需求,8V至29V范围内的N沟道MOS管提供了极高的灵活性与适应性。这类器件广泛用于需要宽输入电压支持的场景,如工业自动化、太阳能充电系统及多节锂电池供电设...
  • 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
  • N沟道MOS管8V至29V低压高效解决方案:节能与紧凑设计新趋势 N沟道MOS管8V至29V:低压高效率的理想之选随着便携式设备、物联网传感器和低功耗嵌入式系统的快速发展,8V至29V范围的N沟道MOS管凭借其低电压适配性、高效率和小尺寸封装,正成为新一代电源管理方案的核心元件。1. 适配主流...
  • 深入理解8V至29V N沟道MOS管在电源管理中的关键作用 8V至29V N沟道MOS管如何优化电源系统设计随着电子设备对能效和小型化要求日益提高,采用8V至29V N沟道MOS管成为优化电源管理方案的重要手段。其在降压(Buck)、升压(Boost)及反激(Flyback)变换器中的应用尤为突出。1. 降低功...
  • PT100热电阻温度与电阻值对照表(0°C基准0.385) 根据PT100热电阻的标准特性,其电阻值随温度变化而变化,通常基于0°C时电阻为100Ω作为参考。对于给定的温度系数α=0.385Ω/°C(这指的是每度变化的电阻增量),我们可以构建一个简化版的对照表来展示特定温度下对应的电阻值...
  • 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...