手机处理器高通表示，采用全新的10nm工艺技术，Snapdragon 835处理器将具有更低的功耗和更高的性能，从而改善移动设备的用户体验。
采用10nm工艺，Qualcomm Snapdragon 835处理器具有更小的SoC尺寸，允许OEM进一步优化其移动设备的内部结构，例如添加电池或实施更薄的设计。
此外，工艺技术的改进也将改善电池寿命。
服务器处理器高通公司在12月初宣布，全球首款10nm服务器芯片将开始提供样品。
QualcommCentriq2400系列处理器是QualcommCentriq系列中的第一款处理器，采用最先进的10nm FinFET技术，可配置多达48个内核。
Qualcomm还展示了在QualcommCentriq2400处理器上运行基于Linux和Java的ApacheSpark和Hadoop。
QualcommCentriq 2400处理器系列目前正在向主要潜在客户提供样品，预计将于2017年下半年上市。
新材料的应用目前，制造芯片的原材料主要是硅。
然而，硅的物理性质限制了芯片开发的空间。
2015年4月，英特尔宣布在达到7nm工艺后将不再使用硅。
III-V族化合物和石墨烯等新材料使得突破硅基芯片的瓶颈成为可能，并成为许多芯片公司研究的焦点，尤其是石墨烯。
与硅基芯片相比，石墨烯芯片具有极高的载体速度和优异的比率降低特性。
据IBM称，石墨烯中的电子迁移率是硅的10倍，石墨烯芯片的主频率理论上高达300 GHz，而散热和功耗远低于硅基芯片。
麻省理工学院的一项研究发现，石墨烯可以将芯片的运行速度提高一百万倍。
限制石墨烯芯片的最大因素是石墨烯的成本。
然而，随着制造工艺的成熟，石墨烯的成本正在下降，石墨烯芯片的大规模生产日期并不太远。
2011年底，宁波磨西科技建成年产300吨石墨烯生产线，每克石墨烯的销售价格仅为1元。
2016年4月，华迅方舟制造了石墨烯太赫兹芯片。
除了FinFIT技术之外，三星和英特尔等芯片制造商近年来一直在投资FD-SOI（完全耗尽的绝缘体上硅）工艺，硅光子技术和3D堆叠技术，以突破FinFET。
制造限制，有更多的主动性。
在各种新技术中，3D堆叠技术仍然是研究的重点。
通过在存储层上叠加逻辑层，3D堆叠技术将芯片结构从平面型升级为体型，大大缩短了互连线的长度，使数据传输更快，干扰更小。