ACPL-P314

这些光耦合器非常适合在电机控制变频应用中驱动功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了门控器件所需的驱动电压。
这些光电耦合器提供的电压和电流非常适合使用。直接推广中小功率IGBT。
高速响应非常高的CMR可扩展SO-6封装的可引导电流8mm爬电距离和间隙(ACPL-W314)安全规范:-UL,3,750Vrms / 1min -CSA -IEC / EN / DINEN60747-5 -2VIORM = 630Vrms选项包括:-060 = IEC / EN / DINEN60747-5-2VIORM = 630Vrm -500 = Reel-to-package package-xxxE =无铅隔离IGBT / MOSFET栅极驱动交流和无刷直接电机驱动工业逆变器设备逆变器感应炉SPS开关电源avago是一款高性能混合信号和数字信号处理IC,其产品分为放大器和比较器,数字/模数转换器,嵌入式处理和DSP,模拟微控制器,RF和IF器件,电源和热管理,音频和视频产品,宽带产品,接口设备,参考源,交换机和多路复用器,无线产品。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 如何选择合适的3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series配套方案? 从参数匹配到系统集成:3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series选型指南在设计高性能电机驱动系统时,正确搭配3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series电感至关重要。错误的选型可能导致系统效率下降、发热严重甚至器件损坏。以下从多个维...
  • 3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series在工业电机控制中的协同应用解析 3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series:高效电力控制的黄金组合在现代工业自动化和高端电机控制系统中,3-Phase Gate Drivers(三相栅极驱动器)与Coilcraft P Series(线圈制造商Coilcraft的P系列电感)正逐渐成为核心组件。它们不仅在性能上...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
  • P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
  • P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
  • 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 德国P+F近接开关:高精度与可靠性的典范 德国P+F公司,即Pepperl+Fuchs,是全球领先的传感器技术和自动化领域的专家。其生产的近接开关(也称为接近传感器或接近开关)是工业自动化领域不可或缺的一部分。这些设备能够无接触地检测物体的存在,广泛应用于各种行业...
  • P沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和电源管理领域,P沟道MOS管因其高效能和低损耗特性而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,比如某些直流-直流转换器、电机驱动系统或电池管理系统等,选择合适的P沟道MOS管显得尤为重要。针对您提到...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • P沟道MOS管工作电压范围8V到29V的应用与选择 在电子工程领域,特别是在设计高压电源转换器、电机驱动器和逆变器时,正确选择合适的P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)至关重要。P沟道MOS管以其高输入阻抗、低导通电阻以及快速开关速度等特性,在低压至中压...
  • P沟道MOS管100V选型指南:性能参数与应用场景解析 P沟道MOS管100V选型核心要点在电源管理、开关电路和负载切换等应用中,P沟道MOS管因其低导通电阻(RDS(on))和高耐压能力而备受青睐。特别是100V耐压等级的P沟道MOS管,广泛应用于工业控制、车载系统、太阳能逆变器等领域。以...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • P沟道MOS管30V参数详解:选型与应用全解析 P沟道MOS管30V核心参数解析在现代电子系统中,P沟道MOS管因其优良的开关特性被广泛应用于电源管理、负载切换和逆向保护等场景。其中,30V耐压等级的P沟道MOS管尤为常见,适用于大多数低压至中压系统。1. 基本电气参数最大漏...
  • 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
  • 深入剖析31V至99V P沟道MOS管的技术参数与选型指南 如何正确选择31V至99V P沟道MOS管?技术参数详解面对市场上众多型号的P沟道MOS管,如何在31V至99V这一电压区间内挑选最适合的器件,是工程师必须掌握的核心技能。本文将从关键参数入手,系统分析选型要点,帮助用户做出科学...