光敏电阻的类型

根据用于设计光敏电阻的半导体材料的特性，它们分为两种类型 - 外在和内在光敏电阻。这些半导体在不同波长条件下反应不同。

本征光敏电阻是使用本征半导体材料设计的。这些本征半导体有自己的电荷载流子。在它们的导带中不存在自由电子。它们在价带中包含空穴。

因此，为了激发本征半导体中存在的电子，从价带到导带，应该提供足够的能量，以便它们可以穿过整个带隙。因此，我们需要更高能量的光子来触发设备。因此，本征光敏电阻设计用于更高频率的光检测。

另一方面，本征半导体是通过用杂质掺杂本征半导体而形成的。这些杂质为传导提供自由电子或空穴。这些自由导体位于更靠近导带的能带中。因此，少量的能量可以触发它们跳入导带。外在光敏电阻用于检测较长波长和较低频率的光。

光强越高，光敏电阻的电阻降越大。光敏电阻的灵敏度随施加的光的波长而变化。当没有足够的波长、足够的时间触发设备时，设备不会对光做出反应。外在光敏电阻可以对红外波作出反应。本征光敏电阻可以检测更高频率的光波。