单层芯片电容器金属层结合力

芯片电容是电路中最基本的元件之一,有着重要而广泛的应用。按芯片电容的应用来分类,电容基本上可分为四种类型:交流耦合,阻断直流仅让信号成分(交流电流)通过;去耦,对频率高的噪声成份起到旁路作用,去耦芯片电容也被称作旁路电容器;无源和有源的RC选频和滤波网络;采样保持电路(捕获和储存电荷)和模拟积分器。


现在,高速和高密度已经成为当今电子产品重要的发展趋势之一。对芯片电容而言,最基本的要求是高频性能优秀且所占用的空间小。在各类片式电容器各类中,用于彩电、收录机等的片式电容,其低频特征尚可,但在用于800MHZ以上的工作频率时,其微波损耗较大。在2GHZ以上频率工作时,其频率温度漂移将严重影响电路的稳定性。有些由多层独石陶瓷介质叠合而组成的多层电容,在较高频率工作时,还会引起附加的电感过大,从而影响电路的性能。由此,应运而生了微波单层陶瓷芯片电容,其自谐振频率有的已经高达十几甚至几十个GHZ。


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微波单层陶瓷芯片电容一般被广泛应用在微波集成电路中,电极层通常以钛化钨做金属基底层。因为其对陶瓷有极强的附着力及良好的阻挡性能,以防止金扩散到陶瓷上,提高了芯片电容的耐温性能。同时,利用薄膜技术镀金,为芯片电容提供了良好的焊接点及电气性能。微波单层陶瓷芯片电容具有尺寸小、厚度薄、等效串联电阻低、损耗低的优点,应用频率可达数GHZ,适用于小型、微波的场合,还可应用于微波集成电路中,起到隔直、RF旁路、滤波、调谐等作用。



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