联合碳化硅推出基于第四代先进技术的新型SiC FET器件

2020年12月1日，美国新泽西州普林斯顿：领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（United Silicon Carbide）已发布了基于其第四代SiC FET先进技术平台的首批四个器件。作为市场上第一款也是唯一的750V SiC FET，这四款第四代器件已基于领先的品质因数（FoM）实现了更高的性能水平，可在汽车，工业充电，电信整流器和数据中心（PFC）和DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电力应用都可以从中受益。
四种新型SiC FET包括18mΩ和60mΩ解决方案。它们的FoM无与伦比，其单位面积导通电阻较低，其固有电容也非常低。
在硬开关应用中，第四代FET的RDS（on）×EOSS（mΩ·μJ）最低，因此可降低其导通损耗和关断损耗。在软开关应用中，其低RDS（on）×Coss（tr）（mΩ·nF）规格可实现更低的传导损耗和更高的频率。
这些器件不仅超越了现有SiC MOSFET竞争产品的性能（无论是在25°C的低温还是125°C的高温下工作），而且还提供了最低的体二极管VF和出色的反向恢复特性，从而降低了死区损失和提高的效率。这些新器件将联合碳化硅产品扩展到750V，这可以为设计人员提供更多的余地并减少设计约束。
同时，VDS额定值的增加也使这些FET可用于400 / 500V总线电压应用。由于与±20V，5V Vth栅极驱动器具有广泛的兼容性，因此可以用0至+ 12V的栅极电压来驱动所有器件。
因此，它们可与现有的SiC MOSFET，Si IGBT和Si MOSFET栅极驱动器一起使用。正如Union Silicon Carbide C的工程副总裁Anup Bhalla所说：“从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些设备可以帮助各行各业的工程师解决他们遇到的问题。
最高电压和电源需求面临的各种挑战。 “我们将在接下来的9个月内发布许多第四代新设备，并在成本性能，散热效率和设计裕度方面实现进一步的改进。
届时，各行各业都将克服大规模采用的挑战，并以此来加速创新。这四款第四代750V新型SiC FET（起价为1000片，美国离岸价）的价格从UJ4C075060K3S（3.57美元）到UJ4C075018K4S（7.20美元）不等。
所有设备均可从授权分销商处购买。这四种型号的SiC FET器件的规格如下：