根据韩国媒体ZDNetKorea的报道,三星正准备推出配备Exynos处理器和AMD显卡的Win10笔记本电脑。据报道,三星推出了这款计算机,以与高通Snapdragon 8cx竞争。
Exynos是基于ARM的芯片,因此计算机将运行Win10ARM操作系统。该计算机预计将于今年下半年启动。
IT Home获悉,三星过去曾发布过基于ARM平台的Win10计算机,例如GalaxyBookS和GalaxyBook2,但这些计算机都配备了高通处理器。 ZDNetKorea表示,三星即将推出的笔记本电脑将配备Exynos2200处理器,这是三星在Unpacked2021中推出的Exynos2100处理器的后续版本。
Exynos2100是三星首款基于5nm EUV工艺的集成5G移动芯片组。与使用7nm工艺的上一代产品相比,Exynos2100降低了20%的功耗,并将整体性能提高了10%。
Exynos2100芯片采用三簇结构,包括2.9GHz ARM Cortex-X1超级内核,三个Cortex-A78内核和四个Cortex-A55内核。在Exynos2100发布的当天,三星正式宣布将与AMD合作开发下一代旗舰处理器。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
- 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
- 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
- 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
- 如何选择合适的聚鼎PXXXX T/S电感与TSS管搭配方案 基于应用场景的TSS管与聚鼎电感选型策略在实际工程设计中,合理匹配TSS管与聚鼎PXXXX系列电感是保障系统可靠性的关键。以下是根据不同应用场景的推荐搭配方案。1. 高频开关电源系统推荐配置:选用聚鼎PXXXX-T型电感 + 高速响...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- S.J.X自动压力开关隔膜泵:高效稳定的流体传输解决方案 S.J.X自动压力开关隔膜泵是一种高效、耐用的流体传输设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等行业。该泵采用先进的自动压力开关技术,能够根据系统的压力变化自动调节运行状态,有效防止过压或欠压情况的发生,从而保护...
- 如何选择合适的聚鼎PXXXX S电感搭配TSS管实现最佳防护效果 优化电路设计:从选型到布局的关键考量在实际工程应用中,仅使用TSS管或电感是不够的,必须通过科学选型与合理布局,才能实现真正的电磁兼容性(EMC)保障。以下是选择聚鼎PXXXX S电感并搭配TSS管的五大核心建议。1. 根据工...
- 什么是X电容和Y电容 安规X电容X电容器连接在电源线的两条线之间,即“L-N”之间。X电容器可以抑制差模干扰。通常使用金属化薄膜电容器,电容为uF。X电容器大多是方形的,类似于盒子的形状。其表面通常标有安全认证标志、耐压字样(一般为AC3...
- X电容和Y电容的应用 X电容① 电磁干扰抑制抗电磁干扰是X电容器最常见的功能。通常,零线和带电线之间桥接两个引脚,适用于高频、直流、交流和耦合。在跳线脉冲电路中,它能承受过压冲击。它通常与放电电荷电阻并联使用;如下所示:① 电阻...
- 光颉Viking CL-S系列电感器:高稳定性与低成本的平衡之选 光颉Viking CL-S系列电感器全面解析光颉Viking CL-S系列是一款面向中端市场的贴片电感器产品线,以优异的性价比和稳定的性能表现赢得市场青睐。该系列产品特别适合对成本敏感但又需保证基本电气性能的应用场景。技术特点与性...
- 笔记本主板电容坏了修要200多吗?原因分析与合理价格探讨 笔记本电脑的维修费用因具体故障、所需更换零件以及维修地点的不同而有所差异。对于主板上的电容损坏这一情况,如果确实需要更换,那么200多元的价格可能是合理的。首先,电容虽然是小元件,但是主板上的元件焊接较为...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 三星的电容笔其他手机能用吗 三星的电容笔其他手机能用吗不能原因:spen是一款电磁触控笔,只能用在电磁屏幕上,而note系列的屏幕是支持电磁和电容双感应的,所以别的电容手机是不能用的。有些支持电磁屏幕的设备倒是可以用spen。供电原理:S Pen供电是...
- 费斯托Festo PEV-W-KL-压力开关:工业自动化领域的高效解决方案 费斯托Festo的压力开关PEV-W-KL-是一款高性能的设备,被广泛应用于工业自动化领域。这款压力开关设计紧凑,具有高度的可靠性和精确度,能够在各种恶劣环境下稳定工作。PEV-W-KL-型号的压力开关适用于监测气体或液体的压力,并...
- 深入解析:0-40V N MOS vs PMV0402-5R0E100 与 PVR10D 的电气特性差异 核心差异:从电气参数看技术定位在实际工程应用中,仅看“电压范围”不足以判断器件优劣。以下从关键电气参数出发,深度剖析三款产品的本质区别。一、关键参数对比表 参数 0-40V N MOS PVR10D PMV0402-5R0E100 最大...
- 费斯托SMT-8-NS-S-LED-24-B:精准可靠的位置控制解决方案 费斯托的SMT-8-NS-S-LED-24-B是一款高性能行程开关,它在自动化领域中扮演着重要角色。这款行程开关具有8毫米的检测距离,适用于需要精确位置控制的应用场景。其内置的LED指示灯可以直观地显示开关状态,便于用户监控和维护。...
- 深入解析:如何根据系统需求选择合适的N MOSFET?40-300V vs 0-40V 为什么不同耐压范围的N MOSFET适用于不同领域?在现代电子系统中,正确选型N MOSFET是保障系统稳定性与效率的关键。本文以40-300V与0-40V两个典型范围为例,深入剖析其技术差异与选型逻辑。1. 工作电压决定耐压选型系统输入电压...
- 0-40V N MOS与PVR10D、PMV0402-5R0E100对比分析:性能、应用与选型指南 引言在现代电子系统设计中,功率MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是实现高效能量转换与控制的核心元件。特别是在电源管理、电机驱动和车载电子等领域,选择合适的MOSFET至关重要。本文将对三种常见型号——0-40V N...