产业链新闻称:长江存储将缓慢增加NAND闪存的出货量

据国外媒体报道,9月22日,专注于3D NAND闪存设计和制造的YMTC将增加NAND闪存芯片的出货量。扬子存储的全名是扬子存储技术有限公司。
它成立于2016年7月,总部位于武汉。它是一家IDM(设计,制造和测试)集成电路公司,致力于3D NAND闪存设计和制造的集成。
的存储器解决方案并致力于成为世界领先的NAND闪存解决方案提供商。 YMTC为合作伙伴提供3D NAND闪存晶片和颗粒,嵌入式存储器芯片,消费类和企业固态驱动器以及其他产品和解决方案,这些产品和解决方案广泛用于移动通信,消费类数字,计算机,服务器和数据中心。
2017年10月,YMTC通过自主研发和国际合作相结合,成功设计和制造了首款国产3D NAND闪存。 2019年9月,配备YMTC自主创新Xtacking®架构的64层TLC 3D NAND闪存正式量产。
此外,国外媒体援引产业链的消息报道,YMTC将增加NAND闪存的出货量,但增长缓慢,不会迅速增加。产业链尚未披露YMTC NAND闪存的当前输出。
数量和程度的增加。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 电感为什么可以储存能量,电感是如何储存电能的呢    电感器是可以存储能量并基于电磁感应原理工作的电子元件。电感器通常由线圈组成,当电流通过线圈时,线圈周围会产生磁场,从而储存能量。以下是对电感储能原理的详细分析:  电感器的工作原理:&...
  • OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
  • 保险丝的储存方式是什么? 为了获得保险丝的最佳性能,储存保险丝时应该注意以下几点:保险丝应该储存在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中,避免阳光直射和高温环境。保险丝应该放置在专门的保险丝盒或者保险丝架中,避免受到外力的冲击和碰撞...
  • 为什么有些压敏电阻可以用作磁记忆储存器? 压敏电阻可以用作磁记忆储存器,原因是它具有可记忆性和可重复写入性。由于压敏电阻的电阻值会随着磁场变化而变化,因此可以使用压敏电阻来记录磁场变化,从而实现磁记忆储存。此外,压敏电阻响应速度快,可以快速记...
  • viking新品播报:长端接厚膜电阻器- CRW ..A 系列 关注稳健设计,为 PCB 散热提供更短的路径,提高额定功率,宽电极结构支持良好的热循环性能。调整焊膏的成分以提供所需的近似电阻,并通过激光微调器将其微调至指定值。特征- 长边端接增强了紧凑尺寸的额定功率- AEC-Q200 ...
  • 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
  • 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...
  • N沟道MOS管100V+参数及应用详解 在电子设计和电路开发中,N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种非常重要的元件,特别是在需要高电压处理能力的应用场景下,如电源管理和电机控制等。对于一款标称能够承受100V以上的N沟道MOS管来说,了...
  • 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...
  • 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
  • N沟道MOS管8V至29V应用与选择指南 在电子设计中,MOS管作为开关或放大器使用时具有重要的地位。特别是对于N沟道MOS管,其在低侧开关应用中表现尤为出色。针对您提到的8V至29V电压范围内的N沟道MOS管,本文将从以下几个方面进行探讨:1. 理解N沟道MOS管的工作原...
  • N沟道30V MOS管参数及应用实例详解 在电子设计和电力电子系统中,MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)是一种非常重要的半导体器件。特别是N沟道30V MOS管,在低压和中压电力转换应用中有着广泛的应用。这类MOS管因其低导通电阻、高速开关性能以及易于驱动等特性...
  • JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解 积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV),特别是型号为JMV-N的产品,在电子设备中扮演着重要的角色,主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
  • tdk公司生产的产品名称是 作为世界著名的电子工业品牌,TDK一直在电子原材料及元器件上占有领导地位。其产品广泛应用于资讯,通讯,家用电器以及消费型电子产品,如移动电话,笔记本电脑,DVD/HDD录影机,平面显示器,汽车及其导航系统等。公司名...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • N沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和开关电源设计中,N沟道MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,选择合适的N沟道MOSFET就显得尤为重要。您提到的31V至99V电压范围,正好覆盖了许多工业控制、电机驱动...