Daniel带您分析DRAM。 DRAM和其他存储设备有什么区别?

DRAM是当前常见的存储设备之一,但DRAM并不是唯一的存储设备,而NAND也是一种存储设备。

那么DRAM和NAND有什么区别? DRAM和NAND的工作原理是什么?如果您对DRAM和NAND感兴趣,则不妨继续阅读。

1. DRAM(1)什么是DRAM DRAM(动态随机存取存储器),即动态随机存取存储器,是最常见的系统存储器。

DRAM只能保留短时间的数据。

为了保留数据,DRAM使用电容器存储,因此必须每隔一定的时间刷新一次。

如果不刷新存储单元,则存储的信息将丢失。

(关闭时,数据将丢失)(2)工作原理动态RAM的工作原理动态RAM也由许多基本存储单元组成,这些存储单元根据行和列地址引脚进行多路复用。

图中显示了DRAM数据线3管动态RAM的基本存储电路。

在该电路中,读取选择线和写入选择线分离,并且读取数据线和写入数据线也分离。

在写操作期间,写选择线为“ 1”,因此Q1导通,并且要写的数据通过Q1被发送到Q2的栅极,并且该信息在该操作中保持一定的时间段。

栅极电容。

在读取操作期间,读取数据线上的分布电容CD通过公共预充电管Q4充电。

当读取选择线处于高电平有效时,Q3处于导通状态。

如果最初存储“ 1”,则Q2导通,并且读取的数据线的分布电容CD通过Q3和Q2放电。

此时,读取的信息为“ 0”,与原始存储的信息相反。

如果原始存储的信息为“ 0”,则尽管Q3具有导通条件,但是由于Q2被关断,所以CD上的电压保持不变,因此读取的信息为“ 1”。

可以看出,对于这种存储电路,读取的信息与原始存储的信息完全相反,因此必须通过读出放大器将其反相,然后发送到数据总线。

2. NAND(1)什么是NAND? NAND闪存是比硬盘驱动器更好的存储设备,在容量不超过4GB的低容量应用中非常明显。

随着人们继续追求功耗更低,重量更轻,性能更好的产品,NAND已被证明具有极大的吸引力。

NAND闪存是一种非易失性存储技术,也就是说,即使断电也可以保存数据。

其发展目标是降低每位存储成本并增加存储容量。

(2)工作原理闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的灵活性的优点。

EPROM表示可以通过特殊方式擦除内容,然后将其重写。

基本单元电路如下图所示。

通常使用浮栅雪崩注入MOS电路,简称为FAMOS。

它与MOS电路的相似之处在于,在N型衬底上生长了两个高浓度的P型区域,并且源极S和漏极D通过欧姆接触分别引出。

在源极和漏极之间的绝缘层中漂浮着一个多晶硅栅极,并且与周围环境没有直接的电连接。

这种电路表示浮栅是否已充电。

在浮动栅极被充电(例如,负电荷)之后,在浮动栅极的正下方,在源极和漏极之间会感应出一个正导电通道,因此,如果MOS管导通,则意味着将存储0。

如果浮栅没有被充电,则不能形成导电沟道,并且MOS管不导通,即,存储1。

EPROM基本单元结构EEPROM基本存储单元电路的工作原理如图所示。

与EPROM相似,它在EPROM基本单元电路的浮栅上生成浮栅。

前者称为第一级浮栅,后者称为第二级浮栅。

可以将电极引到第二级浮置栅极,使得第二级浮置栅极连接到特定电压VG。

如果VG是正电压,则在第一浮置栅极和漏极之间发生隧穿效应,从而电子被注入到第一浮置栅极中,即,被编程。

如果VG为负电压,则第一浮置栅极的电子被迫耗散,即擦除。

擦除后可以重写。

EEPROM单元结构闪存的基本单位电路与EEPROM相似,它也由双层浮栅MOS晶体管组成。

但是栅极电介质的第一层非常薄,可以用作隧道氧化物层。

写入方法与EEPROM相同。

正电压施加到第二个