紫外发光二极管是发射近紫外光的发光二极管（LED）。其照明原理与普通LED相同。五十年前，人们了解了产生光的半导体材料的基础知识。第一个商用二极管诞生于1960年.LED是英国发光二极管的缩写。其基本结构是放置在含铅架子上的电致发光半导体材料，然后用环氧树脂密封以保护内芯线，因此LED具有良好的抗震性能。 LED的核心是由P型半导体和N型半导体组成的晶片。在P型半导体和N型半导体之间存在过渡层，称为PN结。在半导体材料的一些PN结中，注入的少数载流子与多数载流子重新结合以释放光的形式的过剩能量，从而直接将电能转换成光能。 PN结加上反向电压，少数载流子难以注入，因此它们不发光。通过注入电致发光原理制造的这种二极管被称为发光二极管，并且通常被称为LED。当它处于正向工作状态（即正向电压施加到两端）时，当电流从LED的阳极流向阴极时，半导体晶体发出不同颜色的光，从紫外到红外，并且光的强度与电流有关。 1）5mm紫光采用玻璃封装和镀镍合金外壳，进一步提高了紫光的发光效率，减少了紫光的衰减，延长了使用寿命。 2）两个引脚均镀金。 3）发光强度高。 4）质量稳定可靠。 1，紫色：405nm - 纯紫色400nm - 深紫色2，近紫外光395nm--带红紫色深紫色UV-A型紫外线3,370nm--几乎看不见光，当木质玻璃滤光片呈现深紫色时。 4.紫外线（UV）灭菌灯λρ= 254nm或253.7nm点光源λρ= 365nm臭氧形成λρ= 185nm或更小 - 真空紫外线（UV-V），波长100-200nm - 短波紫外线（UV-C） ，波长200-280nm - 中紫外（UV-B），波长280-315nm - 长波紫外（UV-A），波长315-380nm - 可见光（可见光），波长400-760nm美国科学家已成功生产紫外发光二极管（LED），波长255nm，功率0.57W，波长250nm，功率0.16W。该组件目前尚未封装，该团队希望通过倒装芯片键合将功率水平提高三到五倍。这种超深紫外（UDUV）光源带可能在未来取代汞灯泡，作为生物和化学传感器的激发源。南卡罗来纳大学的Asif Khan和其他人开发出含有高达72％铝的高质量AlGaN层，并将它们用作LED结构中的包层来制造UDUV元件。研究人员使用蓝宝石作为LED基板。沉积的第一层是AlN缓冲层，接着是10层AlN / AlGaN超晶格，接着是1.4μm厚的Al0.72Ga0.28N批次。该小组表示，选择铝含量为72的AlGaN层，使材料在250 nm处仍然透明，这是决定元件性能的关键。有源区包含三个量子阱，并且改变铝含量允许发射波长在250和200nm之间调节。研究人员在脉冲偏置条件下测试了一个波长为255 nm的200平方微米元件和一个波长为250 nm的150平方微米元件。两个峰值的峰值输出功率分别对应于200mA和300mA的激励电流。发射极的外量子效率分别为0.015和0.01。紫外发光二极管广泛应用于：金属裂缝，裂缝检测，光触媒光源，货币探测器，防伪行业，以及医疗测量和生物识别安全检测，液压泄漏检测等领域。波长在220nm和350nm之间的高功率深紫外发光二极管广泛用于灭菌，水净化，医疗，高密度光学记录，高显色性LED照明和危险材料的高速分解。到目前为止，深紫外光源一直以紫外激光器和使用准分子激光器和各种倍频激光器等介质的气体灯为主，但它们具有体积大，寿命短，价格高等缺点。几乎适用。可以使高强度深紫外LED和使用半导体的深紫外LD小型化，并且可以获得低成本，高效率和长寿命的紫外光源，并且应用前景更广阔。