DDR5内存是下一代标准，三大内存制造商已经推出了相关产品，但至少在2021年之后产品爆炸，现在每个人的主要力量仍然是DDR4内存。美光即将以1znm工艺大规模生产DDR4颗粒，这相当于12-14nm工艺，并且可以轻松制造单个16GB内存。内存进入20nm节点后，处理技术不再专门用数字标记，而是使用1x，1y，1z。一般而言，1Xnm工艺相当于16-19nm的水平，1Ynm工艺相当于14-16nm的水平，1Znm工艺相当于12。-14nm的水平。根据美光先前公布的路线图，实际上，在1Znm之后将有1＆amp; nm，1＆beta; nm，1＆amp;γnm，因此在10nm级别有六个制造工艺，现在刚刚发展到第三代。美光大规模生产的主力军是采用1ynm工艺的DDR4颗粒。去年，它宣布推出采用1znmk工艺的DDR4颗粒。今年，大规模生产的规模正在不断扩大，采用1znm工艺的存储将很快成为主力军。存储器技术的小型化意味着可以制造具有更大核心容量的产品。批量生产1znm存储器后，制造16Gb内核变得更加容易。仅需8个内核，就可以制造单个16GB内存，以满足当前台式机和笔记本电脑对大内存的需求。 。另外，将来至少在早期的DDR5存储器中，还将采用美光的1znm工艺来生产DDR5存储器。