那么，像SpinMemory这样的MRAM公司在DRAM领域能做什么呢？事实证明，超高密度，高性能MRAM存储的开发与垂直外延晶体管有很大关系，这在DRAM设计中非常有用。特别是，它们可以消除行锤攻击，这种情况在较新的DRAM设计中可能是长期的。与静态存储器不同，DRAM需要刷新周期来维护存储单元的内容。如果您放弃刷新时间太长，内容将变成垃圾。传统系统通过定期的刷新周期来防止这种情况的发生，因此内容不会降级到导致错误的程度。但是，仍然存在降级问题，甚至相邻访问也会影响相邻数据行。行锤击是一种快速循环附近行的技术。对于系统攻击者来说，诀窍是在它们要破坏的数据附近运行这些事务，从而导致软件以攻击者可以利用的方式发生故障。解决方案是隔离行，最大程度地减少附近事务的影响，并允许定期的刷新周期来维护数据。 IRPS2020技术项目主席Charlie Slayman表示，Rowhammer是影响DRAM可靠性和安全性的主要问题之一，长期以来一直是内存行业中的一个麻烦问题。长期以来，DRAM作为主要的干扰问题，随着单元的缩小，行锤只会变得越来越严重。自旋存储器的通用选择器为设计垂直电池晶体管提供了一种新方法，并已提交给JEDEC工作组，以评估对行锤击问题的解决方案。已经存在一些可以减少行锤击的影响的软件方法，但是它趋向于起到“仓鼠”的作用。与攻击者游戏。通用选择器当然，只有减轻对DRAM的攻击才有效，但是自旋存储器提供的通用选择器体系结构还具有其他优势，特别是在开发人员继续缩小芯片设计规模的情况下。这种方法通常可以提高DRAM的软错误率。 4F2（4F2）DRAM位配置还可将阵列密度提高20％至35％。该技术适用于新兴的内存技术，包括MRAM，ReRAM和PCRAM。在这里，通用选择器允许创建6F2-10F2（6F2-10F2）1T1R存储位单元。这相当于在相同区域内增加5倍的内存，而只需要最小的晶片处理成本。 SpinMemory的首席执行官汤姆·斯帕克曼（Tom Sparkman）表示，当今最创新和最苛刻的技术需要更高级的内存来满足计算需求。对于在边缘运行的复杂应用程序，速度和可靠性是必不可少的，例如无人驾驶汽车或健康可穿戴设备，在这些应用程序中，准确，实时的决策可能决定生死。除了将MRAM推入主流市场之外，他们最新的突破性创新还为这些技术带来了令人振奋的新发展和新功能！