如今5G已从未来时态变为持续时态，时代的浪潮为通信行业带来了新的机遇，同时也促进了该行业的技术创新。随着可用于移动设备的通信频带的逐渐增加，更多的射频组件将被集成到射频前端模块中以满足新的通信需求。但是，高度集成还伴随着无法忽视的干扰问题。如何解决这一问题已成为业界关注的焦点。为此，RF领域的全球领导者Qorvo最近举行了一次媒体交流会议。 Qorvo的新包装产品工程部副主任赵York（York Zhao）和Qorvo的华北应用工程经理张洁（Fiery Zhang）参加了此次活动，并与记者进行了讨论。关于RF前端的开发以及Qorvo将如何部署和响应的观点。 PAMiD的三个优点使RF前端集成不再复杂。众所周知，功率放大器，开关和滤波器是先前设计中的独立实体。但是，随着5G的不断发展，RF前端解决方案变得越来越复杂。还有比以前更多的设备。在这样的市场发展趋势下，市场上的主要RF前端已经开始向模块化方向发展，并且几个主要模块（例如双工器和天线开关）已经开始集成到RF前端中。在此期间，RF前端模块也发展了几类，包括ASM，FEMiD，PAMiD等。其中，模块化程度最高的是PAMiD，它集成了多模和多频PA，RF开关和滤波器等组件。对于手机制造商而言，PAMiD的出现使RF前端从复杂的系统设计项目中变得更加简单。 “换句话说，PAMiD可以为客户带来更简单，更好的性能以及更适合其产品的解决方案。” Qorvo华北应用工程经理张杰说。他认为，PAMiD具有三个主要优点：节省更多空间，更灵活和更兼容。对此，张杰也作了进一步阐述。 “过去，必须将许多器件分开包装以形成器件，然后将其放在PCB上才能实现。在此过程中，某些设备将被重复包装，这既费时又费力。另外，如果使用分立解决方案来实现相同的功能，则将面临许多接线问题。 PAMiD将所需的组件集成到一个模块中，从而减少了包装和接线问题的数量，节省了空间并提高了灵活性。不仅如此，Qorvo的PAMiD正在产品集成过程中。在这种情况下，这不仅仅是将组件集成在一起，而是要考虑性能，兼容性和相互干扰问题，以使设备的性能最大化。对于PAMiD的下一个发展，Qorvo认为将LNA集成到PAMiD中是继续开发RF前端模块的重要驱动力之一。 Qorvo自屏蔽模块可有效解决干扰问题。在RF前端中，EMI（电磁干扰）和RFI（射频干扰）是常见的问题，并且随着越来越多的组件集成到RF前端模块中，这种现象将变得越来越普遍。目前，工业上通常使用外部机械屏蔽罩来屏蔽射频模块，即，将其嵌入金属外壳中以保护模块免受外部电磁场的影响。但是，这种方法可能会导致灵敏度降低和谐波增加，从而损坏设备，并带来许多设计风险。针对上述问题，Qorvo开发了一种自屏蔽模块，即在模块表面上增加一层自屏蔽金属涂层，可以将表面电流降低100倍，相当于射频前端模块的屏蔽罩，无需考虑机械屏蔽罩的位置。问题。此外，根据Qorvo包装新产品工程部副总监赵永新的说法，自屏蔽技术主要是通过电镀实现的。通过电镀腐蚀后，将其附着在其上。这不仅提高了其可靠性，而且具有一定的抗氧化作用。据了解，目前，该技术已经应用于一些高端手机中。随着5G手机的日益普及，该技术也将应用于低端手机。