随着半导体技术的飞速发展，各种存储器相继引入，其性能不断提高。众所周知，关闭电源后，普通SRAM中的数据立即消失。再次打开电源后，存储器中的数据是一个随机数。对于需要保存大量现场数据和各种系统参数的应用程序系统，这无疑是不允许的。尽管EPROM的数据不会因电源故障而丢失，但是EPROM只能使用专用的写入器来写入数据，而不能替换相应的SRAM。 SRAM没有刷新的问题。 SRAM基本存储单元由一个晶体管和两个电阻组成。它不使用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的，就像CPU中的晶体管也可以通过切换不同的状态来表示0一样。而这两种状态正是由于这种结构，因此SRAM的读取过程不会造成SRAM中存储的信息丢失，并且当然不存在刷新问题。 EEPROM和FLASH可以电擦除，并且可以部分替代相应的SRAM。但是，与SRAM（ns级别）相比，EEPROM和FLASH（ms级别）的写入速度太慢。要写入大量数据，EEPROM和FLASH的写入次数是有限的（大约100,000次），而SRAM可以无限次写入。更重要的是，除非通过特殊电路控制EEPROM和存储器Flash的芯片选择信号，否则在电源故障期间将发生错误写入。尽管FLASH具有硬件和软件写保护，但是其保护算法使用起来非常不方便，效果也不理想。在大多数应用中，它不能替代SRAM。 q