ROHM的SCT3xxx xR系列包括六个具有沟槽栅结构（650V / 1200V）的碳化硅MOSFET器件。该产品系列采用4引脚封装（TO-247-4L），与传统的3引脚封装（TO-247N）相比，它可以最大限度地提高开关性能并最多降低35％的开关损耗。 SiC-MOSFET特别适合在服务器电源，UPS系统，太阳能逆变器和新能源汽车充电站中进行节能使用。 Rutronik在电子商务网站上提供了这些设备。通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚分离，从而最大程度地减小了寄生电感成分的影响。这有助于显着降低功耗，对于必须提供不间断电源的高性能应用特别有吸引力。尤其是随着先进的AI和IoT的发展，对云服务的需求持续增长，数据中心面临着减少功耗，增加容量和性能的挑战。辅助评估板（P02SCT3040KR-EVK-001）具有为驱动SiC器件而优化的栅极驱动器IC（BM6101FV-C）。多个电源IC和分立元件有助于应用评估和开发。由于它与两种封装类型（TO-247-4L和TO-247N）兼容，因此可以在相同条件下进行评估。该评估板可用于升压电路，2级逆变器以及同步整流和降压电路中的双脉冲测试和组件评估。要了解有关ROHM新型SiC-MOSFET器件和直接订购选项的更多信息，请访问Rutronik的电子商务平台。