为了赶上台积电，三星考虑在美国建立芯片制造厂

最近，根据《华尔街日报》，根据相关文件和知情人士的报道，韩国三星电子正在考虑投资至多170亿美元在亚利桑那州，德克萨斯州或纽约州建立芯片制造厂。这意味着三星和台积电正在进一步扩大其在先进制造工艺中的竞争。
三星目前正在生产5nm EUV芯片。这家韩国芯片巨头一直希望加强其先进的制造工艺并增强与台积电的竞争力。
先前有报道称，三星跳过了4nm工艺节点，从5nm跃升至3nm，以便在更短的时间内赶上台积电。但是，要实现此计划，需要一些巨额投资。
事实证明，三星已经注意到这一点，并正在考虑斥资170亿美元在美国建立晶圆厂。据知情人士说，三星正在凤凰城及其周围地区寻找两个合适的地点，另一个大型工业园区位于纽约西部的根西县。
这个耗资170亿美元的3nm芯片制造厂的地理位置非常特殊。在这个城市，三星放弃了其自定义的核心内部研发。
这似乎是三星希望在芯片业务上与台积电竞争的地方。不幸的是，三星可能已经落后于其最大的竞争对手，因为台积电上周在财务报告中宣布，它将投资约200亿美元用于研发3nm，5nm和7nm等先进工艺。
此前有报道称，苹果已经从台积电订购了iPhone，iPad和Mac的3nm芯片订单，因此三星在开发3nm芯片之前就已经失去了主要客户。但是三星仍然可以安抚其他客户，例如高通和联发科。
此前，有报道称三星与高通达成了一项价值8.5亿美元的交易，以处理Snapdragon 888和Snapdragon X605G调制解调器的芯片制造。三星计划在2030年之前在芯片研发上投资1,150亿美元，以取得领先地位，因此在美国建立晶圆厂的计划可能正处于这一大计划的初期。