所谓的快速磁盘，就是英特尔提出的Turbo Memory，俗称硬盘加速卡，Robson卡或闪存缓存模块，是继英特尔传统三片处理器，芯片组和迅驰技术无线网卡之后的附加配件。 Fast Disk实际上是一个NAND Flash模块。它的外观是一个带有控制芯片和几个NAND颗粒的矩形电路板。 Turbo Memory模块可以安装在笔记本主机的MiniCard插槽中，与无线网卡的接口相同。它还通过PCI-E接口连接到南桥芯片。总的来说，Turbo Memory迄今已推出两代产品，核心代号为Robson。第一代是Centrino Santa Rosa平台的新可选组件，容量为512MB和1GB。第二代与Centrino 2 Montevina平台大致相同，有2GB和4GB两种版本。 Turbo Memory的原理非常简单。它使用闪存而不是硬盘来存储启动操作系统所需的文件，然后使用其访问速度高于硬盘的优势，以便启动速度更快，并用作CPU和执行应用程序时的内存。在缓冲区之间，达到加快访问的目的。此外，闪存不需要像物理存储器那样随时供电，也不需要像硬盘那样供给高速电机的电源，因此整个平台也更节能。介绍快速磁盘的存储介质 - NAND高速闪存模块。谈到高速闪存模块，有必要谈谈闪存模块的类型。 •闪存类型：NOR和NAND通用高速闪存模块有两种尺寸，NOR闪存和NAND闪存，所有这些都是非易失性闪存模块。 NOR也称为代码闪存，有些类似于DRAM。它主要存储程序代码，因此可以由微处理器直接读取，但芯片容量低，主流容量为512MB。 NAND闪存更像是硬盘。它主要基于存储数据，因此也称为数据闪存。其特点是芯片容量大，目前主流容量分为512MB，1GB，2GB等。两者之间最大的区别是读写速度。 NAND闪存比NOR快写入和擦除数据，但NOR闪存读取数据的速度比NAND快。 NAND广泛用于小型计算机中以存储数据，而NOR规范则用于通信产品，例如移动电话。英特尔于1988年首次开发出NOR闪存技术，彻底改变了最初由EPROM和EEPROM主导的情况。随后，1989年，东芝宣布推出NAND闪存架构，强调每比特成本降低，性能更高，以及通过磁盘等接口轻松升级的能力。在过去的20年中，这两种类型的闪存技术已广泛应用于手机市场，数码相机市场和移动存储市场。如今，随着科学技术的不断扩大，NOR和NAND闪存得到了进一步的提升。新版本的NOR闪存接口将使用133MHz或更高，并将用于3G和UMTS手机。由于其更快的写入速度和低功耗，NAND逐渐被用于PC。此时，闪存技术解决方案已开始发展为更多样化的解决方案，以满足多种应用不断变化的需求。当然，由于本文主要关注NAND，因此在移动通信平台中使用的NOR不在此处介绍。 1.缩短启动时间。将一些启动文件放在快速磁盘上并直接加速访问以缩短系统启动等待时间（官方数据：快20％）。 2.提高应用程序响应速度。将Turbo Memory替换为应用程序的数据缓冲区，以加快访问速度。 3.加速应用程序启动。处理器可以快速获取打开应用程序所需的数据，减少延迟并减少延迟（官方数据：大约是速度的两倍）。 4.增强Windows Vista性能。 Turbo Memory支持Windows Vista操作系统的三种加速功能，包括Ready Boost，Ready Drive和Superfetch，这些功能有望改善Windows Vista的批评。 5.省电。数据预先存储在Turbo Memory上，以减少硬盘旋转所需的时间，从而节省电量。 1. Intel CPU + Intel GM965，PM965或PM45芯片组，不支持AMD CPU。 2. SATA硬盘必须设置为AHCI模式。否则，“Intel Turbo Memory”将被称为“Intel Turbo Memory”。操作系统中的控制台无法打开。 3. Intel Turbo Memory 1.0不支持RAID技术，需要禁用RAID。 4. BIOS必须支持Turbo Memory。通常，如果主板芯片组满足要求，BIOS可以提供支持。 5.必须是Windows Vista操作系统。 6.主板必须提供MiniPCI插槽。要在FCM或WWAN插槽中安装此卡，您无法插入WLan插槽。 7.必须安装相应的驱动程序（Intel Turbo Memory）。必须在Intel Turbo Memory控制面板上正确配置ReadyDrive或ReadyBoost。 8. SSD不能同时使用。